选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VISHAY/威世TSOP-6 |
501442 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳诚思涵科技有限公司10年
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VISHAYTSOP-6 |
23400 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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VISHAYTSOP-6 |
152000 |
17+ |
绝对原装正品现货假一罚十 |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
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VISHAYTSOP6 |
2860 |
20+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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深圳市金华微盛电子有限公司6年
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VISHAY/威世SOT-163 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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VISHAY/威世TSOP-6 |
23400 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
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VISHAYTSOP-6 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司14年
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VISHAY/威世TSOP-6 |
45000 |
24+ |
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热卖优势现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
20000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
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VISHAY/威世SOT23-6 |
200 |
24+ |
大批量供应优势库存热卖 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAY |
65300 |
20+ |
一级代理/放心购买! |
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深圳市云美电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
189900 |
22+ |
只做原装进口现货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
57455 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
29015 |
2219+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市创芯联盈电子有限公司6年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
37 |
500 |
1939+ |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOT-6 |
3000 |
23+ |
全新原装现货 优势库存 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
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VISHAYSOT-6 |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
11256 |
2018+ |
只做进口原装正品!假一赔十! |
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SI3911图片
SI3911DV-T3-E3价格
SI3911DV-T3-E3价格:¥0.6500品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI3911DV-T3-E3多少钱,想知道SI3911DV-T3-E3价格是多少?参考价:¥0.6500。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI3911DV-T3-E3批发价格及采购报价,SI3911DV-T3-E3销售排行榜及行情走势,SI3911DV-T3-E3报价。
SI3911DV-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3911DV制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SI3911DV-T1功能描述:MOSFET 20V 2.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3911DV-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 2.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3911DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 2.2A 1.15W 145mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube