| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司2年
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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深圳市美思瑞电子科技有限公司12年
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深圳市硅宇电子有限公司13年
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
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深圳市一线半导体有限公司17年
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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深圳廊盛科技有限公司6年
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深圳市一线半导体有限公司17年
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司6年
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深圳市福安瓯科技有限公司12年
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深圳和润天下电子科技有限公司8年
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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SI4450图片
SI4450DY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4450DY功能描述:MOSFET SO8 PCH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4450DY-E3功能描述:MOSFET 60V 7.5A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4450DY-T1功能描述:MOSFET 60V 7.5A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4450DY-T1-E3功能描述:MOSFET 60V 7.5A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4450DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 7.5A 2.5W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube