| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
502377 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOP-8 |
7958 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
476 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOP8 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
留言
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SILICONIXSOP8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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SISOP-8 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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SHARPSOP8 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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SMD |
3000 |
24+ |
自己现货 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司15年
留言
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VISHAISOP8 |
3750 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSOP-8 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司15年
留言
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SISMD |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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SISOP8 |
1478 |
02/03+ |
全新原装100真实现货供应 |
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香港创芯邦电子有限公司2年
留言
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SISMD |
2000 |
23+ |
现货库存 |
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深圳和润天下电子科技有限公司8年
留言
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VISHAY/威世SMD-8 |
30000 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司13年
留言
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SISMD-8 |
7500 |
24+ |
十年品牌!原装现货!!! |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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SIX |
3503 |
1535+ |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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VISHAYSOP-8 |
3000 |
24+ |
自己现货 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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VISSOP8 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司14年
留言
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VISHAY/威世3.9mm |
2128 |
2023+ |
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一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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SI4416图片
SI4416DY-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4416DY功能描述:MOSFET 30V 500a N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4416DY_RC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:R-C Thermal Model Parameters
SI4416DY-E3功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4416DY-T1功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4416DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube