| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
|
Vishay(威世)标准封装 |
7788 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
|
SILONIXNA/ |
3395 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
|
深圳市航润创能电子集团有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世SOP8 |
2930 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
|
VISHNA |
3228 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
SILICONIXSOP8 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
|
SILICONIXSOP8 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
深圳廊盛科技有限公司6年
留言
|
SILICONIXSOP8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
|
深圳廊盛科技有限公司6年
留言
|
SILICONIXSOP8 |
50000 |
22+ |
只做原装假一罚十,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
|
VISHAYSOP08 |
12500 |
22+ |
进口原装 |
|||
|
深圳市宏世佳电子科技有限公司15年
留言
|
VISHAYSOP |
3365 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
|
深圳市一线半导体有限公司17年
留言
|
3000 |
24+ |
自己现货 |
||||
|
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
|
VISHAY8/SOP |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
|||
|
深圳市佳鑫美电子科技有限公司13年
留言
|
VISHAYSOP8 |
2987 |
24+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
|||
|
深圳市一线半导体有限公司17年
留言
|
VIHSAY/SILICONIXSOP-8 |
29000 |
24+ |
新进库存/原装 |
|||
|
深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
|
SISOP |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
VISHAY/威世SOP8 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
上海涵恩科技有限公司（原上海凌岳电子）10年
留言
|
3000 |
2023+ |
进口原装现货 |
||||
|
深圳市英卓尔科技有限公司9年
留言
|
VISHAYSOP-8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
SILICONIXSOP8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
SILICONIXSOP8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
SI4818DY-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4818DY-T1图片
SI4818DY-T1-E3价格
SI4818DY-T1-E3价格：￥8.2224品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4818DY-T1-E3多少钱，想知道SI4818DY-T1-E3价格是多少？参考价：￥8.2224。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4818DY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4818DY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4818DY-T1-E3报价。
SI4818DY-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4818DY-T1功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4818DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4818DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A 22/15.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube