| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VISHAY/威世SOP-8 |
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免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司2年
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柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
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VISHAY/威世SOP8 |
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只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市硅宇电子有限公司13年
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二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
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原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
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BychipSOP8 |
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高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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VISHAY/威世SO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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SOP |
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绝对原装!现货热卖! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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VYSSOP |
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全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
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SOP |
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2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
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VYSSOP |
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集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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VYSSOP |
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23+ |
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深圳市柯尔基电子有限公司13年
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VISHAYSOP8 |
96580 |
23+24 |
主营:存储.逻辑.放大.电源.接口.驱动.充电. 功放IC. |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
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VISHAYSOP-8 |
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只做原装,假一赔十 15118075546 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司6年
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SILICON LABS/芯科SOP-8 |
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23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市近平电子有限公司8年
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VISHAYSOP-8 |
6000 |
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绝对原装自己现货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
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2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
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VYSSOP |
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只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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SI4953A图片
SI4953ADY-T1-GE3价格
SI4953ADY-T1-GE3价格：￥2.3407品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4953ADY-T1-GE3多少钱，想知道SI4953ADY-T1-GE3价格是多少？参考价：￥2.3407。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4953ADY-T1-GE3批发价格及采购报价，SI4953ADY-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI4953ADY-T1-GE3报价。
SI4953A中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4953ADY功能描述:MOSFET 30V 4.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4953ADY_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI4953ADY-E3功能描述:MOSFET 30V 4.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4953ADY-T1功能描述:MOSFET 30V 4.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4953ADY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 4.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4953ADY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 3.9A 2.0W 53mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube