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SI7882DP-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	威世 PAKSO-8	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体相关企业：深圳市杰顺创科技有限公司	Vishay

详细参数

型号：
SI7882DP-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 12V 22A 5.0W 5.5mohm @ 4.5V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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