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深圳市汇莱威科技有限公司

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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市弘扬芯城科技有限公司

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深圳市坤融电子科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市坤融电子科技有限公司

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深圳市华高宇电子有限公司

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深圳市安博威科技有限公司

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深圳廊盛科技有限公司

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京海半导体(深圳)有限公司

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深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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深圳市安富世纪电子有限公司

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SI9433BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix8-SOIC

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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SI9433BDY制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SO-8

SI9433BDY_05制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET

SI9433BDY-E3制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET

SI9433BDY-T1功能描述:MOSFET 20V 6.2A 2.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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SI9433BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 6.2A 0.04Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI9433BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 6.2A 2.5W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube