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标准国际(香港)有限公司

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深圳市坤融电子科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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深圳市吉铭电子科技有限公司

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Vishay(威世)标准封装

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原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期

深圳市振芯物联科技有限公司

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SI9435BDY制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SO-8

SI9435BDY_05制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET

SI9435BDY_13制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET

SI9435BDY-E3制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N

SI9435BDY-T1功能描述:MOSFET 30V 5.7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI9435BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI9435BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube