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SIA813DJ-T1-GE3

VISHAY
SC70-6

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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SIA813DJ-T1-GE3

VISHAY
SC70-6

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SIA813DJ-T1-GE3

VISHAY
SC70-6

BARRY

Vishay Barry

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SIA813DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix
PowerPAK? SC-70-6 双

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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SIA813DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix
PowerPAK? SC-70-6 双

NI

National Instruments Inc.

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详细参数

  • 型号:

    SIA813DJ-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Vishay/Siliconix
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