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SKP10N60AXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 92W TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKW10N60	文件：319.38 Kbytes Page：14 Pages	FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ·75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwith lowconductionlosses ·Shortcircuitwithstandtime–10ms ·Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ·NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebe	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKW10N60A	文件：438.56 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode ●75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ●Shortcircuitwithstandtime–10μs ●Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ●NPT-Technologyfor600Va	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKW10N60A	文件：368.81 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKW10N60A	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SLB10N60C	文件：290.81 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
SLF10N60C	文件：1.22464 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
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SLI10N60C	文件：290.81 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
SLP10N60C	文件：1.22464 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
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SSF10N60	文件：1.20709 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSF10N60	文件：537.33 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSF10N60B	文件：676.82 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSF10N60B	文件：266.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSF10N60F	文件：533.84 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSF10N60F	文件：1.24948 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSFP10N60	文件：201.74 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSH10N60A	文件：243.68 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=600V ■LowRDS(ON):0.646Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSH10N60A	文件：283.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
SKP10N60AXKSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，10A
开关能量：
320µJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/178ns
测试条件：
400V，10A，25 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
PG-TO220-3-1
描述：
IGBT 600V 20A 92W TO220-3

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更多SKP10N60AXK供应商更新时间2024-11-25 9:18:00

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