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SMB6F24A	文件：681.67 Kbytes Page：13 Pages	600 W TVS in SMB Flat Features •Peakpulsepower:600W(10/1000μs)and4kW(8/20μs) •Flatandthinpackage:1mm •Stand-offvoltagerangefrom5Vto188V •Unidirectionaltype •Lowleakagecurrent:0.2μAat25°Cand1μAat85°C •OperatingTjmax:175°C •HighpowercapabilityatTjmax.:upto47	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SMB6F24A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-221AA，SMB（直引线）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMBFLAT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SMB6F24AY	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-221AA，SMB（直引线）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMBFLAT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SM6F24NSF	文件：2.16155 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SM6F24NSF	文件：306.27 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM6F24NSFP-TUG	文件：306.27 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM6F24NSF-TUG	文件：306.27 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM6F24NSUB-TUG	文件：306.27 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM6F24NSU-TRG	文件：306.27 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SMA6F24A	文件：663.52 Kbytes Page：14 Pages	600WTVSinSMAFlat Features •Peakpulsepower:600W(10/1000μs)and4kW(8/20μs) •Flatandthinpackage:1mm •Stand-offvoltagerangefrom5Vto188V •Unidirectionaltype •Lowleakagecurrent:0.2μAat25°Cand1μAat85°C •OperatingTjmax:175°C •HighpowercapabilityatTjmax.:upto40	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SMA6F24A	文件：132.84 Kbytes Page：6 Pages	Surface-MountTRANSZORB®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof0.95mm •Idealforautomatedplacement •Unidirectionalonly •Excellentclampingcapability •Peakpulsepower: -600W(10/1000μs) -4kW(8/20μs) •ESDcapability:IEC61000-4-2level4 -15kV(air) -8kV(contact) •MeetsMSLleve	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SMA6F24AH	文件：332.63 Kbytes Page：6 Pages	600W,12V??60VSurfaceMountTransientVoltageSuppressor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TA6F24A	文件：112.34 Kbytes Page：5 Pages	Surface-MountPAR®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof0.95mm •Junctionpassivationoptimizeddesign passivatedanisotropicrectifiertechnology •TJ=185°Ccapabilitysuitableforhigh reliabilityandautomotiverequirement •Idealforautomatedplacement •Unidirectionalonly •Excellentcl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
SMB6F24A
制造商：
STMicroelectronics
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
SMB6FxxA
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
24V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
26.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
38.9V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
16A
功率 - 峰值脉冲：
600W
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-221AA，SMB（直引线）
供应商器件封装：
SMBflat
描述：
TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMBFLAT

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更多SMB6F24A供应商更新时间2024-11-26 10:01:00

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