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SPB10N10	文件：787.36 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SSFP10N10	文件：203.02 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSG10N10	文件：1.11319 Mbytes Page：4 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSG10N10	文件：465.14 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses •100RgTested •100AvalancheTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSG10N10	文件：1.20167 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SSPR10N10-C	文件：360.75 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STUD10N10	文件：125.07 Kbytes Page：10 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
TSJ10N10AT	文件：791.93 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelDTMOS	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC
UTT10N10	文件：136.17 Kbytes Page：3 Pages	10A,100VN-CHANNELMOSFET ■DESCRIPTION TheUTCUTT10N10isaN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithaminimumon-stateresistance,highswitchingspeedandultralowgatecharge.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
WSP10N10	文件：1.20165 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
WSP10N10	文件：1.57883 Mbytes Page：5 Pages	PowerManagementinDC/DCConverter.	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司	WIINSOK

详细参数

型号：
SPB10N10
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SIPMOS®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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