首页>SPD02N80C3>规格书详情
SPD02N80C3中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
SPD02N80C3规格书详情
• DESCRITION
• High peak current capability
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤2.7Ω
• Enhancement mode:
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号:
SPD02N80C3
- 功能描述:
MOSFET COOL MOS N-CH 800V 2A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
9548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
INFINEO |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-252 |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
TO-252 |
10000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO252-3 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
INFINEON |
2019 |
TO-252 |
19700 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
询价 | ||
23+ |
TO-252 |
20000 |
原厂原装正品现货 |
询价 | |||
ST |
21+ |
TSSOP |
9500 |
只做原装正品现货或订货!代理渠道订货假一赔三! |
询价 | ||
Infineon |
11+ |
2500 |
原装正品长期供货,如假包赔包换 徐小姐13714450367 |
询价 |