| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEONP-TO262-3-1 |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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infineonP-TO262-3-1 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌T0-262 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌NA/ |
3477 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌T0-262 |
50000 |
22+ |
只做原装假一罚十,欢迎咨询 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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INFINEONP-TO262-3-1 |
8866 |
24+ |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌P-TO262-3-1 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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InfineonT0-262 |
6283 |
2231+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINE0NTO-262-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司3年
留言
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InfineonT0-262 |
6283 |
24+ |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌T0-262 |
20000 |
22+ |
原装现货,实单支持 |
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深圳市科雨电子有限公司5年
留言
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INFINEONTO262-3 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市威雅利发展有限公司6年
留言
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INFINEONTO-262 |
4300 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司6年
留言
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10800 |
23+ |
只做原装 欢迎咨询 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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INFINEON原装进口原厂原包接受订货 |
962 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市永贝尔科技有限公司8年
留言
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INFINEONNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市宏兴瑞科技有限公司2年
留言
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InfineonT0-262 |
10000 |
23+ |
原装正品现货 |
SPI80N03S2采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SPI80N03S2图片
SPI80N03S2L-05(2N03L05)中文资料Alldatasheet PDF
更多SPI80N03S2-03功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SPI80N03S2-03功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SPI80N03S203XK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262
SPI80N03S203XK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262
SPI80N03S2L-03功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPI80N03S2L-03功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPI80N03S2L-04功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPI80N03S2L-04功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPI80N03S2L-05功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPI80N03S2L-06功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件