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SPU30N03S2L-10	文件：547.02 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature •N-Channel •LogicLevel •Lowon-resistanceRDS(on) •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Idealforfastswitchingapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPU30N03S2L-10	文件：1.68829 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IPD30N03S2L	文件：321.15 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPD30N03S2L	文件：334.44 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Superiorthermalresistance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤10mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD30N03S2L	文件：334.44 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Superiorthermalresistance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤10mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
SPU30N03S2L
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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