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SS9014

Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise

Pre-Amplifier,LowLevel&LowNoise •Hightotalpowerdissipation.(PT=450mW) •HighhFEandgoodlinearity •ComplementarytoSS9015

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

SS9014A

Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise

Pre-Amplifier,LowLevel&LowNoise •Hightotalpowerdissipation.(PT=450mW) •HighhFEandgoodlinearity •ComplementarytoSS9015

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

SS9014B

Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise

Pre-Amplifier,LowLevel&LowNoise •Hightotalpowerdissipation.(PT=450mW) •HighhFEandgoodlinearity •ComplementarytoSS9015

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

SS9014C

Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise

Pre-Amplifier,LowLevel&LowNoise •Hightotalpowerdissipation.(PT=450mW) •HighhFEandgoodlinearity •ComplementarytoSS9015

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

SS9014D

Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise

Pre-Amplifier,LowLevel&LowNoise •Hightotalpowerdissipation.(PT=450mW) •HighhFEandgoodlinearity •ComplementarytoSS9015

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

SS9014BBU

包装:散装 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

SS9014BTA

包装:散装 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

SS9014CBU

包装:散装 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ST9014

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintofourgroups,A,B,CandD,accordingtoitsDCcurrentgain.AscomplementarytypethePNPtransistorST9015isrecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigura

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半导体先之科半导体科技(东莞)有限公司

ST9014

TRANSISTOR(NPN)

RECTRON

Rectron Semiconductor

STC9014

NPNSiliconTransistor

NPNEpitaxialSiliconTransistor AudioFrequencyAmplifier&HighFrequencyOSC. •ComplementtoSTC9015 •Collector-BaseVoltage:VCBO=60V •HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=300MHz(TYP) •Suffix“-C”meansCenterCollector(1.Emitter2.Collector3.Base)

SUNTAC

Suntac Electronic Corp.

STC9014N

NPNSiliconTransistor

Description •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) •ComplementarypairwithSTA9015N

AUK

AUK corp

STC9014SF

NPNSiliconTransistor

Description •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) •ComplementarypairwithSTA9015SF

AUK

AUK corp

STS9014

NPNSiliconTransistor

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

STS9014

NPNSiliconTransistor

Description •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) •Lownoise:NF=10dB(Max.)atf=1KHz •ComplementarypairwithSTS9015

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

STS9014

NPNSiliconTransistor

AUK

AUK corp

TEC9014

SILICONNPNEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS)

AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS. DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES .HighVoltageandHighCurrent :VcEO=50V(Min.),Ic=150mA(Max.) .LowNoise:NF=0.9dB(Typ.)atf=lkHz .ComplementarytoTEC9015

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

U9014

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-60V •LowerRDS(ON):0.362Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

晶体管资料

  • 型号:

    SS9014

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_静噪放大 (LN)_宽频带放大

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    270MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.45W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-10

  • vtest:

    50

  • htest:

    270000000

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.45

详细参数

  • 型号:

    SS9014

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN/50V/10mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多SS9014供应商 更新时间2024-11-22 10:18:00