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SSG12N03	文件：479.72 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSG12N03	文件：920.05 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SSG12N03	文件：1.85868 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSG12N03_15	文件：479.72 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
12N03	文件：1.82632 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
12N03L	文件：1.01591 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
12N03L.	文件：960.51 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
EMB12N03A	文件：222.01 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)12mΩ ID25A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03G	文件：191.82 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)12mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03H	文件：218.65 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03HR	文件：218.4 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)11.5mΩ ID25A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03V	文件：216.35 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)11.5mΩ ID18.5A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03VAT	文件：187.09 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)11.5mΩ ID9A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
IPD12N03L	文件：152.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries Feature •N-Channel •LogicLevel •LowOn-ResistanceRDS(on) •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Idealforfastswitchingbuckconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Package Marking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPF12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Package Marking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPS12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Package Marking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU12N03L	文件：152.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries Feature •N-Channel •LogicLevel •LowOn-ResistanceRDS(on) •ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Idealforfastswitchingbuckconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Package Marking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PJ12N03D	文件：151.1 Kbytes Page：4 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SSG12N03供应商更新时间2024-11-22 14:04:00

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