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SSM3K123TU	文件：161.32 Kbytes Page：6 Pages	Power Management Switch Applications PowerManagementSwitchApplications High-SpeedSwitchingApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:Ron=66mΩ(max)(@VGS=1.5V) Ron=43mΩ(max)(@VGS=1.8V) Ron=32mΩ(max)(@VGS=2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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SSM3K123TU_14	文件：173.33 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

零件编号

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功能描述

制造商&上传企业

LOGO

SSM3K123TU

文件：161.32 Kbytes

Page：6 Pages

Power Management Switch Applications

PowerManagementSwitchApplications High-SpeedSwitchingApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:Ron=66mΩ(max)(@VGS=1.5V) Ron=43mΩ(max)(@VGS=1.8V) Ron=32mΩ(max)(@VGS=2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

SSM3K123TU

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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SSM3K123TU_14

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
SSM3K123TU
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Power Management Switch Applications

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更多SSM3K123TU供应商更新时间2024-11-22 17:33:00

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