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SSS13N60B	文件：1.10799 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
13N60	文件：392.1 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies.DCtoDCconverters,PWMmotorcontrols,bridgecircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.TheNell13N60isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof13A,fastswitch	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
13N60E	文件：1.06712 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FCP13N60N	文件：904.36 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,13A,0.258廓 Description TheSupreMOSMOSFET,Fairchild’snextgenerationofhighvoltagesuper-junctionMOSFETs,employsadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromprecedingmulti-epibasedtechnologies.Byutilizingthisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrol,SupreMOSprovidesworld	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP13N60N	文件：301.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCPF13N60NT	文件：292.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCPF13N60NT	文件：904.36 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,13A,0.258廓 Description TheSupreMOSMOSFET,Fairchild’snextgenerationofhighvoltagesuper-junctionMOSFETs,employsadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromprecedingmulti-epibasedtechnologies.Byutilizingthisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrol,SupreMOSprovidesworld	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMC13N60E	文件：529.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FMC13N60E	文件：332.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.58Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FMC13N60ES	文件：333.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.58Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FMC13N60ES	文件：594.48 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FMH13N60ES	文件：598.6 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
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FMI13N60ES	文件：594.6 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
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FMP13N60ES	文件：586.78 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
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FMV13N60ES	文件：587.33 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
HFP13N60U	文件：201.03 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市国宇半导体科技有限公司	SSS13N60B	S	23+	TO-220	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SSS13N60B	S	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市创新迹电子有限公司	SSS13N60B	S	22+	TO-220	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SSS13N80	FAIRCHILD/仙童	23+	TO220	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	SSS1508A-8Q	AMD	23+	CDIP16	8000	只做原装现货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	SSS1510	SILIKRON	23+	NA/	3349	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
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更多SSS13N60B供应商更新时间2024-11-22 10:06:00

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