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T-12060	文件：39.75 Kbytes Page：1 Pages	Wideband RF Impedance Matching Transformers	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
12060	文件：48.14 Kbytes Page：1 Pages	CONTINENTALEUROPECORDSETCEE7/7STRAIGHTTOIEC60320C19	POWERDYNAMICS PowerDynamics, Inc	POWERDYNAMICS
12060	文件：147.6 Kbytes Page：1 Pages	NylonSnapLockPins	HeycoHeyco. 海科海科(Heyco)	Heyco
APT12060LVFR	文件：121.63 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSV	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT12060LVFR	文件：328.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT12060LVR	文件：39.28 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Iden	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
CA12060	文件：289.62 Kbytes Page：5 Pages	Evaseries	CreeCree, Inc 科锐科锐半导体制造商	Cree
DFEG12060D	文件：229.04 Kbytes Page：1 Pages	Lowaudiblecorenoise	Toko TOKO, Inc	Toko
DFEH12060D	文件：229.24 Kbytes Page：1 Pages	Suitableforlargecurrent	Toko TOKO, Inc	Toko
DT12060P	文件：2.51319 Mbytes Page：13 Pages	GaNPowerTransistors	RFHIC rfhic	RFHIC
FST12060	文件：134.78 Kbytes Page：3 Pages	120AmpRectifier20to100VoltsSchottkyBarrier Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
FST12060	文件：145.61 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE120A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
FST12060	文件：368.29 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode Features •HighSurgeCapability •IsolatedtoPlate •NotESDSensitive •Typesfrom45Vto100VVRRM	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
FST12060	文件：606.27 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
FSTI12060	文件：145.22 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE120A	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
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K12060	文件：282.68 Kbytes Page：6 Pages	Premiumbrasspadlocks Features Hardenedsteelshackle(30mmandabove)–extraprotectionagainsthacksawandcroppingattacks Doubleboltedlockingmechanism(30mmandabove)–extrastrengthtoresisttorsionandpullattacks Solidbrassbody–addedresistancetocorrosion	CARLCarl Kammerling International Limited 卡尔卡尔·卡默林国际有限公司	CARL
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LP12060	文件：85.05 Kbytes Page：2 Pages	HighPowerConstantVoltageLEDDriver	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

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详细参数

型号：
T-12060
制造商：
RHOMBUS-IND
制造商全称：
Rhombus Industries Inc.
功能描述：
Wideband RF Impedance Matching Transformers

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多T-12060供应商更新时间2024-11-22 16:00:00

详细参数

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