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TA1980A	文件：749.92 Kbytes Page：7 Pages	SAW Filter 1030MHz	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TFS1980	文件：144.08 Kbytes Page：5 Pages	VectronInternationalFilterspecification	Vectron Vectron International, Inc	Vectron
TFS1980A	文件：205.5 Kbytes Page：5 Pages	VectronInternationalFilterspecification	Vectron Vectron International, Inc	Vectron
TZ1980A	文件：71.46 Kbytes Page：5 Pages	HC49US22.1184MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountSeamWeldPackage GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature DescriptionandApplications: HC49UScrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UL1980	文件：143.54 Kbytes Page：2 Pages	OBUDOWSCE81	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
UL1980N	文件：143.54 Kbytes Page：2 Pages	OBUDOWSCE81	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
UPA1980	文件：215.97 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETWITHSCHOTTKYBARRIERDIODE DESCRIPTION TheμPA1980isaswitchingdevice,whichcanbedriven directlybya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalow on-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics, andalowleakageSchottkybarrierdiode,andissuitablefor applicatio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1980	文件：79.94 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1980isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andalowleakageSchottkybarrierdiode,andissuitableforapplicationss	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1980TE	文件：573.56 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1980TE	文件：215.97 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETWITHSCHOTTKYBARRIERDIODE DESCRIPTION TheμPA1980isaswitchingdevice,whichcanbedriven directlybya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalow on-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics, andalowleakageSchottkybarrierdiode,andissuitablefor applicatio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1980TE	文件：79.94 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1980isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andalowleakageSchottkybarrierdiode,andissuitableforapplicationss	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TA1980A供应商更新时间2024-11-24 15:00:00

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