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TEA2018	文件：77.17 Kbytes Page：7 Pages	CURRENT MODE SWITCHING POWER SUPPLY CONTROL CIRCUIT DESCRIPTION TheTEA2018Aisan8-pinDIPlow-costintegratedcircuitdesignedforthecontrolofswitchmode powersupplies.Duetoitscurrentmoderegulation,theTEA2018Afacilitatesdesignofpowersupplieswithfollowing features: .Highstabilityregulationloop .Automaticinp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
TEA2018A	文件：77.17 Kbytes Page：7 Pages	CURRENT MODE SWITCHING POWER SUPPLY CONTROL CIRCUIT DESCRIPTION TheTEA2018Aisan8-pinDIPlow-costintegratedcircuitdesignedforthecontrolofswitchmode powersupplies.Duetoitscurrentmoderegulation,theTEA2018Afacilitatesdesignofpowersupplieswithfollowing features: .Highstabilityregulationloop .Automaticinp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
TGF2018	文件：245.3 Kbytes Page：8 Pages	180umDiscreteGaAspHEMT	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TMM2018AP	文件：338.2 Kbytes Page：6 Pages	16,384bitshighspeedandlowpowerstaticrandomaccessmemoryorganizedas2,048wordsby8bitsandoperatesfromasingle5Vsupply	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
VS2018AL	文件：491.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VSMP2018	文件：851.55 Kbytes Page：5 Pages	UltraHighPrecisionFoilWraparoundSurfaceMountChipResistorwithTCRof±0.05ppm/°CandPowerCoefficientof5ppmatRatedPowerandLoadLifeStabilityof±0.005(50ppm)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
Z2018	文件：1.4514 Mbytes Page：5 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
Z2018U	文件：1.4514 Mbytes Page：5 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
ZGFM2018B	文件：68.86 Kbytes Page：9 Pages	ChipZenerDiode	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
ZXTN2018F	文件：513.65 Kbytes Page：6 Pages	60V,SOT23,NPNmediumpowertransistor	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZXTN2018F	文件：543.59 Kbytes Page：6 Pages	60V,SOT23,PNPmediumpowertransistor Description Advancedprocesscapabilityandpackagedesignhavebeenusedtomaximizethepowerhandlingandperformanceofthissmalloutlinetransistor.Thecompactsizeandratingsofthisdevicemakeitideallysuitedtoapplicationswherespaceisatapremium. Features •Higherpowerdiss	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTN2018FQ	文件：493 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features BVCEO>60V MaximumContinuousCollectorCurrentIC=5A VCE(SAT)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZXTN2018FQTA	文件：493 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features BVCEO>60V MaximumContinuousCollectorCurrentIC=5A VCE(SAT)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZXTN2018FTA	文件：513.65 Kbytes Page：6 Pages	60V,SOT23,NPNmediumpowertransistor	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
TEA2018
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
CURRENT MODE SWITCHING POWER SUPPLY CONTROL CIRCUIT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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