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TP2312-TR	文件：1.30263 Mbytes Page：20 Pages	10MHz Bandwidth, Low Noise Precision Op-amps	3PEAK3PEAK INC. 思瑞浦思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司	3PEAK
TP2312-VR	文件：1.30263 Mbytes Page：20 Pages	10MHzBandwidth,LowNoisePrecisionOp-amps	3PEAK3PEAK INC. 思瑞浦思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司	3PEAK
TSM2312	文件：164.47 Kbytes Page：3 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2312CX	文件：164.47 Kbytes Page：3 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2312CXRF	文件：637.09 Kbytes Page：6 Pages	20VN-ChannelMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2312CXRF	文件：1.05163 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM2312CXRF	文件：125.68 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2312CXRFG	文件：637.09 Kbytes Page：6 Pages	20VN-ChannelMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TZ2312A	文件：180.08 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.0x1.630.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 DescriptionandApplications: Surfacemount2.0mmx1.6mmcrystalunitforuseinwireless	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ2312B	文件：175.79 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.0x1.630.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 DescriptionandApplications: Surfacemount2.0mmx1.6mmcrystalunitforuseinwireless	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UT2312	文件：161.51 Kbytes Page：3 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION TheUT2312usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)≤33mΩ@VGS=4.5V,ID=5.0A RDS(ON)≤40mΩ@VGS=2.5V,	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
W2312EP	文件：1.16588 Mbytes Page：6 Pages	KeysightEEsofEDA	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
W2312EP	文件：1.16588 Mbytes Page：6 Pages	KeysightEEsofEDA	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
W2312ET	文件：1.16588 Mbytes Page：6 Pages	KeysightEEsofEDA	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
WTC2312	文件：2.42187 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
WTC2312	文件：481.65 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
YFW2312A	文件：1.81692 Mbytes Page：5 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Lithiumbatteryprotection Wirelessimpact Mobilephonefastcharging	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
YFW2312MI	文件：1.65761 Mbytes Page：5 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Lithiumbatteryprotection Wirelessimpact Mobilephonefastcharging	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
YJL2312A	文件：568.11 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
ZBY2312	文件：87.98 Kbytes Page：2 Pages	HarmonyXB4,Legendholder30x40mm,plastic,withlegend8x27mm,markedOFF	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER

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更多TP2312-TR供应商更新时间2024-11-26 14:01:00

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