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TPCA8102	文件：182.48 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII) LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=4.5mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=60S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10µA(max	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCA8102	文件：295.69 Kbytes Page：7 Pages	Lithium Ion Battery Applications Notebook pc Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCA8102_06	文件：295.69 Kbytes Page：7 Pages	Lithium Ion Battery Applications Notebook pc Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCA8102-H	文件：1.09067 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPCC8102	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCC8102	文件：223.61 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS?? NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance: RDS(ON)=14.5mΩ(typ.)(VGS=-10V) •Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-30V) •Enhancementmode:Vth	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCF8102	文件：224.05 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=24mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=14S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−20V) •Enhancementmode:Vth=−0.5to−1.2V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCF8102	文件：212.29 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCM8102	文件：223.27 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS?? LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=6.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=44S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCP8102	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCP8102	文件：238.24 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS?? NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=13.5mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=24S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-20V) •Enhancement	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCS8102	文件：392.75 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsPortableEquipmentApplicationsNotebookPCs	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCS8102	文件：783.27 Kbytes Page：7 Pages	Lithium-IonBatteryApplicationsPortableEquipmentApplicationsNotebookPCApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
UH8102	文件：138.74 Kbytes Page：7 Pages	LOWPOWERHALLEFFECTSWITCH	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UPC8102	文件：147.02 Kbytes Page：20 Pages	RFAMPLIFIERICFOR150MHzTO330MHzPAGERSYSTEM DESCRIPTION µPC8102TisasiliconmonolisicintegratedcircuitdesignedasRFamplifierfor150MHzto330MHzpagersystem.Dueto1Vsupplyvoltage,thisICissuitableforlowvoltagepagersystem.Thepackageisa6pinminimoldsuitableforhigh-densitysurfacemounting. ThisICismanufa	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8102T	文件：147.02 Kbytes Page：20 Pages	RFAMPLIFIERICFOR150MHzTO330MHzPAGERSYSTEM DESCRIPTION µPC8102TisasiliconmonolisicintegratedcircuitdesignedasRFamplifierfor150MHzto330MHzpagersystem.Dueto1Vsupplyvoltage,thisICissuitableforlowvoltagepagersystem.Thepackageisa6pinminimoldsuitableforhigh-densitysurfacemounting. ThisICismanufa	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8102T	文件：265.63 Kbytes Page：22 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •1Vsupplyvoltage:VCC=0.9Vto2.0V •Lownoisefigure:2.3dBTYP.@fin=150MHz(withexternalmatchingcircuittooptimizeNF) •Lowcurrentconsumption:ICC=0.5mATYP.@VCC=1.0V •Gainavailablefrequency:fRF=150MHzto330MHz(withexternalmatchingcircuit) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VB8102M	文件：827.98 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VCMB8102-RC	文件：1.21085 Mbytes Page：1 Pages	CommonModeChoke	ALLIED Allied Components International	ALLIED
VCMB8102-RC	文件：862.72 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeChokewithBase	ALLIED Allied Components International	ALLIED

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详细参数

型号：
TPCA8102
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOSIII)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	TPCA8102	TOSHIBA	11+	QFN-8	8000	全新原装,绝对正品现货供应	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	TPCA8102	TOSHIBA	23+	QFN-8	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	TPCA8102	TOS	22+23+	QFN8	38188	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	TPCA8102	TOSHIBA	2020+	QFN8	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	TPCA8102	TOSHIBA	23+	QFN8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多TPCA8102供应商更新时间2024-11-27 11:04:00

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