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UPC2406AHF	文件：103.95 Kbytes Page：14 Pages	THREE TERMINAL LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2406AHF	文件：320.4 Kbytes Page：16 Pages	BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Built-inthesaturationprotectioncircuitoftheoutputtransistor. •Thecapabilityofoutputcurrentis1A •Highaccuracyofoutputvoltage. \|DVO\|£±2(TJ=25°C) \|DVO\|£±3(0°C£TJ£125°C) •Lowdropoutvoltage. VDIF£1V(IO£1A,TJ£125°C) •Built-in	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2406TB	文件：123.16 Kbytes Page：13 Pages	0.01to3.0GHzSPDTSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2406TB	文件：245.25 Kbytes Page：15 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=1.8to5.3V(2.7VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:Lins=0.40dBTYP.@f=1.0GHz,Vcont(H)=2.7V,Vcont(L)=0V :Lins=0.47dBTYP.@f=2.5GHz,Vcont(H)=2.7V,Vcont(L)=0V •Highisolati	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2406TK	文件：245.15 Kbytes Page：15 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=1.8to5.3V(2.7VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:Lins=0.40dBTYP.@f=1.0GHz,Vcont(H)=2.7V,Vcont(L)=0V :Lins=0.47dBTYP.@f=2.5GHz,Vcont(H)=2.7V,Vcont(L)=0V •Highisolati	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2406TK	文件：123.02 Kbytes Page：13 Pages	0.01to3.0GHzSPDTSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2406TK	文件：554.25 Kbytes Page：12 Pages	0.01to3.0GHzSPDTSWITCH	CEL California Eastern Labs	CEL
V2406A	文件：1.50868 Mbytes Page：6 Pages	Intel3rdGenCoreCPU,EN50155railwaycomputer	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
V2406C	文件：2.14116 Mbytes Page：7 Pages	7thGenIntelCoreCPUrailwaycomputers	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
VBL2406	文件：417.97 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel40-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VN2406	文件：776.77 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
VN2406	文件：139.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-Mode Features ❏Freefromsecondarybreakdown ❏Lowpowerdriverequirement ❏Easeofparalleling ❏LowCISSandfastswitchingspeeds ❏Excellentthermalstability ❏IntegralSource-Draindiode ❏Highinputimpedanceandhighgain ❏ComplementaryN-andP-channeldevices Applications ❏Motor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VN2406	文件：559.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN2406	文件：442.17 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimped	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN2406D	文件：54.79 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel240-V(D-S)MOSFETs FEATURES ●LowOn-Resistance:3.5Ω ●SecondaryBreakdownFree:260V ●LowPower/VoltageDriven ●LowInputandOutputLeakage ●ExcellentThermalStability BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Full-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●LowErrorVoltage ●NoHigh-Temperature“	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VN2406L	文件：57.17 Kbytes Page：4 Pages	TMOSFETTransistor TMOSFETTransistor N–Channel—Enhancement	Motorola Motorola, Inc	Motorola
VN2406L	文件：54.79 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel240-V(D-S)MOSFETs FEATURES ●LowOn-Resistance:3.5Ω ●SecondaryBreakdownFree:260V ●LowPower/VoltageDriven ●LowInputandOutputLeakage ●ExcellentThermalStability BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Full-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●LowErrorVoltage ●NoHigh-Temperature“	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VN2406L	文件：442.17 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimped	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN2406L	文件：139.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-Mode Features ❏Freefromsecondarybreakdown ❏Lowpowerdriverequirement ❏Easeofparalleling ❏LowCISSandfastswitchingspeeds ❏Excellentthermalstability ❏IntegralSource-Draindiode ❏Highinputimpedanceandhighgain ❏ComplementaryN-andP-channeldevices Applications ❏Motor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VN2406L	文件：112.13 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalMOSFET200mAmps,240Volts SmallSignalMOSFET200mAmps,240VoltsN−ChannelTO−92 200mAMPS240VOLTSRDS(on)=6Ω	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
UPC2406A
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
THREE TERMINAL LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPC2406A供应商更新时间2024-11-24 16:00:00

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