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UPG2012TB	文件：120.9 Kbytes Page：7 Pages	NECs 1/4W SINGLE CONTROL L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION TheµPG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishousedin	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2012TB	文件：266.93 Kbytes Page：8 Pages	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION ThePG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation.Thisdeviceishousedina	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2012TB	文件：325.3 Kbytes Page：11 Pages	GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2012TB	文件：72.47 Kbytes Page：9 Pages	L-BAND SPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2012TB-E3	文件：120.9 Kbytes Page：7 Pages	NECs 1/4W SINGLE CONTROL L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION TheµPG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishousedin	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2012TB-E3	文件：266.93 Kbytes Page：8 Pages	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION ThePG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation.Thisdeviceishousedina	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2012TB-E3	文件：325.3 Kbytes Page：11 Pages	GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2012TB_1	文件：72.47 Kbytes Page：9 Pages	L-BAND SPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2012TB-E3	文件：72.47 Kbytes Page：9 Pages	L-BAND SPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2012TB-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关描述：IC RF SWITCH SPDT 2.5GHZ 6-SMINI	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2012TB-E3-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关描述：IC RF SWITCH SPDT 2.5GHZ 6-SMINI	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
UPG2012TB
功能描述：
RF 开关 IC RO 551-UPG2012TB-A
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
开关数量：
Single
开关配置：
SPDT
介入损耗：
0.6 dB
截止隔离（典型值）：
43 dB
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PQFN-16
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	UPG2012TB	RENESAS	23+	SOT-363	63000	原装正品现货	询价
深圳市华睿芯科技有限公司	UPG2012TB	NEC	23+	SOT363	20000	原厂原装正品现货	询价
深圳市富安睿科技有限公司	UPG2012TB	NEC	21+	SOT-363	6000	绝对原裝现货	询价
深圳市维尔达电子有限公司	UPG2012TB	NEC品牌	2023+	SOT363贴片三极管	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	uPG2012TB	NEC	22+	SOT-363	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	UPG2012TB	NEC	22+	SOT-363	9800	只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!	询价
中科航电（深圳）电子集团有限公司	UPG2012TB	RENESAS/瑞萨		SOT-363	90000	集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规	询价
深圳市创新迹电子有限公司	UPG2012TB	NEC	22+	SOT-363	16800	全新进口原装现货,假一罚十	询价
深圳市润联芯城科技有限公司	uPG2012TB	NEC	23+	SOT-363	50000	原装正品支持实单	询价
深圳市一线半导体有限公司	UPG2012TB-E3-A	NEC	24+	SOT-23	3250		询价

更多UPG2012TB供应商更新时间2024-11-25 8:26:00

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