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UPG2012TK-E2

NECs 쩌 W SINGLE CONTROL L, S-BAND SPDT SWITCH

DESCRIPTION TheµPG2012TKisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishous

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPG2012TK-E2

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPG2012TK-E2

L-BAND SPDT SWITCH

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPG2012TK-E2-A

W SINGLE CONTROL L, S-BAND SPDT SWITCH

CEL

California Eastern Labs

UPG2012TK-E2-A

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频开关 描述:IC RF SWITCH SPDT 2.5GHZ 6MINIM

CEL

California Eastern Labs

详细参数

  • 型号:

    UPG2012TK-E2

  • 功能描述:

    RF 开关 IC SPDT Single Switch

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 开关数量:

    Single

  • 开关配置:

    SPDT

  • 介入损耗:

    0.6 dB

  • 截止隔离(典型值):

    43 dB

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PQFN-16

  • 封装:

    Reel

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更多UPG2012TK-E2供应商 更新时间2024-11-24 16:00:00