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VTAN1116P-TR	文件：680.2 Kbytes Page：22 Pages	Lead?밼ree soldering compatible	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
VTAN1116P-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：0603（1608 公制）类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 940NM 50MA SMD	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
1116	文件：1.8415 Mbytes Page：16 Pages	DrywallPunch	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
1116	文件：99.12 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component13X1COND a)Conductor30(7/38)AWGTinnedCopper0.012 b)Insulation0.010Wall,Nom.PVC0.032 (1)ColorCodeAlphaWireColorCodeD CondColorCondColorCondColor 1BLACK2RED3WHITE 2)CableAssembly3ComponentsCabled a)Twists:40.0	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
1116	文件：97.93 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component13X1COND a)Conductor30(7/38)AWGTinnedCopper0.012 b)Insulation0.010Wall,Nom.PVC0.032 (1)ColorCodeAlphaWireColorCodeD CondColorCondColorCondColor 1BLACK2RED3WHITE 2)CableAssembly3ComponentsCabled a)Twists:40.0	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
1116A	文件：239.99 Kbytes Page：8 Pages	SILICONTRANSISTORS PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDMID-SPEEDSWITCHING FEATURES •LowVCE(sat) VCE(sat)=−0.20VTYP.(IC=−1.0A,IB=−50mA) •HighPTinsmalldimensionwithgeneral-purpose PT=0.75W,VCEO=−50/−60V,IC(DC)=−1.0A •Complementarytransistor	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
1116A	文件：162.51 Kbytes Page：2 Pages	TypeKXThermocouple,1Pr#16Sol,FEPInsYel,Red,OS,YellowFEPJkt,300VPLTCCL2P200CSUNRES ProductDescription TypeKXThermocouple,1Pair16AWG(Solid)Chromel+Alumel,FEPInsulationYel,RedColorCode,OverallBeldfoil®Shield,YellowFEPOuterJacket, PLTCCL2P200CSUNRES	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
A1116	文件：291.63 Kbytes Page：9 Pages	BIPOLARLDOREGULATOR800mALINEARLOWDROPOUTREGULATOR	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技	AITSEMI
A1116RW	文件：171.29 Kbytes Page：2 Pages	Miniature,10WDIPSingle&DualOutputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
ADPA1116	文件：963.47 Kbytes Page：17 Pages	0.3GHzto6GHz,39.5dBm,GaNPowerAmplifier FEATURES ►Internallymatched,0.3GHzto6GHz,39.5dBm,GaNpower amplifier ►RFinputandRFoutputAC-coupled ►Integrateddrainbiasinductors ►Outputpower:39.5dBmtypicalfrom0.5GHzto5GHz (PIN=16.0dBm) ►Powergain:23.5dBtypicalfrom0.5GHzto5GHz (PIN=16.0dBm)	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ALD1116	文件：58.83 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELANDDUALP-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFET	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1116	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES •Lowthresholdvoltageof0.7V •Lowinputcapacitance •LowVos2mVtypical •Highinputimpeda	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1116	文件：82.82 Kbytes Page：9 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancement modematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroad rangeofprecisionanalogapplications.TheALD1106/ALD1116offer highinputimpedanceandnegativecurrenttemperaturecoefficient.The transistor	ADLAdvanced Digital Logic, Inc. advanced Digital Logic, Inc.	ADL
ALD1116	文件：106.16 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancement modematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrange ofprecisionanalogapplications.TheALD1106/ALD1116offerhighinput impedanceandnegativecurrenttemperaturecoefficient.Thetransistor	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1116DA	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES •Lowthresholdvoltageof0.7V •Lowinputcapacitance •LowVos2mVtypical •Highinputimpeda	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1116DA	文件：124.27 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1116PA	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES •Lowthresholdvoltageof0.7V •Lowinputcapacitance •LowVos2mVtypical •Highinputimpeda	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1116PAL	文件：124.27 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1116SA	文件：34.27 Kbytes Page：4 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDMOSFETARRAY GENERALDESCRIPTION TheALD1106/ALD1116aremonolithicquad/dualN-channelenhancementmodematchedMOSFETtransistorarraysintendedforabroadrangeofprecisionanalogapplications. FEATURES •Lowthresholdvoltageof0.7V •Lowinputcapacitance •LowVos2mVtypical •Highinputimpeda	ALD Advanced Linear Devices	ALD
ALD1116SAL	文件：124.27 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUALN-CHANNELMATCHEDPAIRMOSFETARRAY	ALD Advanced Linear Devices	ALD

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产品属性

产品编号：
VTAN1116P-TR
制造商：
Stanley Electric Co
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
50mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
1.8mW/sr @ 20mA
波长：
940nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.25V
视角：
40°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0603（1608 公制）
描述：
EMITTER IR 940NM 50MA SMD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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