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VTB9412	文件：26.22 Kbytes Page：1 Pages	VTB Process Photodiodes PRODUCTDESCRIPTION Smallareaplanarsiliconphotodiodeinarecessedceramicpackage.Thechipiscoatedwithaprotectivelayerofclearepoxy.Thesediodeshaveveryhighshuntresistanceandhavegoodblueresponse. ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS StorageTemperature:-20°Cto75°C Ope	PerkinElmer PerkinElmer Optoelectronics	PerkinElmer
VTB9412B	文件：26.77 Kbytes Page：1 Pages	VTB Process Photodiodes PRODUCTDESCRIPTION Smallareaplanarsiliconphotodiodeinarecessedceramicpackage.Thepackageincorporatesaninfraredrejectionfilter.Thesediodeshaveveryhighshuntresistanceandhavegoodblueresponse. ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS StorageTemperature:-20°Cto75°C Operati	PerkinElmer PerkinElmer Optoelectronics	PerkinElmer
VTB9412BH	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：2-DIP 模块类别：传感器，变送器光学传感器 - 光电二极管描述：SENSOR PHOTODIODE 580NM 2DIP MOD	ExcelitasExcelitas Technologies 埃赛力达	Excelitas
9412	文件：130.87 Kbytes Page：1 Pages	MACHINESCREWPANPHILLIPS10-32	KEYSTONE Keystone Electronics Corp.	KEYSTONE
9412	文件：183.92 Kbytes Page：2 Pages	HighPerformInstr,1Pr#12StrTC,PVCInsE2,PVCJkt,PLTC ProductDescription HighPerformanceInstrumentation,1Pair12AWG(65x30)TinnedCopper,PVCInsulationE2ColorCode,PVCOuterJacket,PLTC	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
9412	文件：248.52 Kbytes Page：1 Pages	6-32BINDINGHEADSCREW	KEYSTONE Keystone Electronics Corp.	KEYSTONE
9412GJ	文件：994.09 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AF9412N	文件：367.43 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	ANACHIPAnachip Corp 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AF9412NS	文件：367.43 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	ANACHIPAnachip Corp 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AF9412NSA	文件：367.43 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	ANACHIPAnachip Corp 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AF9412NSLA	文件：367.43 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	ANACHIPAnachip Corp 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AM9412N	文件：214.88 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP9412AGH	文件：1.01386 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AP9412AGH	文件：171.64 Kbytes Page：5 Pages	LowerGateCharge,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9412AGI	文件：129.389 Kbytes Page：5 Pages	SingleDriveRequirement,FullIsolationPackage	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9412AGM	文件：99.14 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,Ultra_LowOn-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9412AGM-HF	文件：1.3348 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AP9412AGM-HF	文件：99.9 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,Ultra_LowOn-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9412AGP	文件：66.95 Kbytes Page：4 Pages	LowerGateCharge,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP9412BGM	文件：98.99 Kbytes Page：4 Pages	LowerGateCharge,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER

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详细参数

型号：
VTB9412
制造商：
Excelitas Technologies Corporation
功能描述：
SILICON PHOTODIODES
功能描述：
PHOTO DIODE, Wavelength of Peak
Sensitivity：
580nm, Angle of Half Sensitivity
：
50, Dark
Current：
100pA, Diode Case
Style：
Radial Leaded, No. of
Pins：
2, Operating Temperature
Min：
-20C, Operating Temperature
Max：
75C , RoHS
Compliant：
Yes
制造商：
PerkinElmer Inc
：
5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	VTB9412BH	ExcelitasTechnologiesSen	新		5	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	VTB9412BH	Excelitas Technologies Sensors	2022+		1	全新原装货期两周	询价
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更多VTB9412供应商更新时间2024-11-25 16:06:00

详细参数

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