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VBT2060G	文件：148.74 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VBT2060G-E3	文件：156.77 Kbytes Page：6 Pages	Low forward voltage drop, low power losses FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VBT2060G-E3	文件：202.05 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VBT2060G-E3/4W	文件：173.6 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VBT2060G-E3/8W	文件：173.6 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VBT2060G-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 10A 60V TO-263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VBT2060G-E3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 10A 60V TO-263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VFT2060C	文件：127.82 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT2060C	文件：79.1 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT2060G	文件：79.25 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT2060G	文件：148.74 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VFT2060G	文件：127.94 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VIT2060C	文件：130.639 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freea	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT2060G	文件：141.95 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
VBT2060G
制造商：
Vishay Semiconductors
功能描述：
20A,60V,DUAL TRENCH SKY RECT.

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市仟禧电子有限公司	VBT2060G-E3	VISHAY/威世	22+	TO-263	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
艾睿国际（香港）有限公司	VBT2060G-E3	VISHAY/威世	2021+	TO-263	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	VBT2060GE3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Di	22+	TO263AB	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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更多VBT2060G供应商更新时间2024-11-23 14:50:00

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