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VNW35NV04中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

VNW35NV04
厂商型号

VNW35NV04

功能描述

OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

文件大小

309.85 Kbytes

页面数量

19

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-11-24 17:08:00

VNW35NV04规格书详情

DESCRIPTION

The VNB35NV04, VNP35NV04, VNV35NV04, VNW35NV04 are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETS from DC up to 25KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

■ LINEAR CURRENT LIMITATION

■ THERMAL SHUT DOWN

■ SHORT CIRCUIT PROTECTION

■ INTEGRATED CLAMP

■ LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN

■ DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT PIN

■ ESD PROTECTION

■ DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)

■ COMPATIBLE WITH STANDARD POWER MOSFET

产品属性

  • 型号:

    VNW35NV04

  • 功能描述:

    电源开关 IC - 配电 VIPOWER

  • RoHS:

  • 制造商:

    Exar

  • 输出端数量:

    1

  • 开启电阻(最大值):

    85 mOhms

  • 开启时间(最大值):

    400 us

  • 关闭时间(最大值):

    20 us

  • 工作电源电压:

    3.2 V to 6.5 V

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOT-23-5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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