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ZUMT918	文件：19.41 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR SOT323NPNSILICONPLANARVHF/UHFTRANSISTOR PARTMARKINGDETAIL–T5	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZUMT918	文件：25.39 Kbytes Page：1 Pages	SOT323 NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR SOT323NPNSILICONPLANARVHF/UHFTRANSISTOR PARTMARKINGDETAIL–T5	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZUMT918TA	文件：25.07 Kbytes Page：1 Pages	VHF/UHF TRANSISTOR SOT323NPNSILICONPLANARVHF/UHFTRANSISTOR PARTMARKINGDETAIL–T5	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZUMT918TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT323	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
918	文件：204.08 Kbytes Page：3 Pages	M12?륚PlasticPassiveI/OBox	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
ADG918	文件：120.42 Kbytes Page：4 Pages	Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BCP	文件：120.42 Kbytes Page：4 Pages	Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM	文件：120.42 Kbytes Page：4 Pages	Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM	文件：570.61 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM-REEL	文件：570.61 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRMZ	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRMZ-REEL	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
CMBT918	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23-PowerTransistorandDarlingtons	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
CMBT918	文件：132.42 Kbytes Page：3 Pages	VHF/UHFTRANSISTOR	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CMPT918	文件：78.02 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT918typeisanNPNsiliconRFtransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighfrequency(VHF/UHF)amplifierandoscillatorapplications. MARKINGCODE:C3B	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT918	文件：450.73 Kbytes Page：2 Pages	NPN-RFTransistorChip SmallSignalTransistor NPN-RFTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize14.5x14.5MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea2.4x2.2MILS EmitterBondin	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CT918CYF	文件：163.76 Kbytes Page：1 Pages	PowerInductors-Shielded Description:SMD(shielded)powerinductor Applications:PowersuppliesforVTR,OAequipment,LCDtelevisions,PCnotebooks,portablecommunicationequipment,DC/DCconverters,etc.	CT Central Technologies	CT
CVXO-918T	文件：113.47 Kbytes Page：1 Pages	VoltageControlledCrystalOscillator	CRYSTEKCRYSTAL Crystek Corporation	CRYSTEKCRYSTAL

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详细参数

型号：
ZUMT918
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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