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ZXTP2008Z中文资料DIODES数据手册PDF规格书

ZXTP2008Z
厂商型号

ZXTP2008Z

参数属性

ZXTP2008Z 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 30V 5.5A SOT89-3

功能描述

30V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

文件大小

120.15 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES

中文名称

Diodes Incorporated官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-11-22 9:48:00

ZXTP2008Z规格书详情

Features

• BVCEO > -30V

• IC = -5.5A Continuous Collector Current

• ICM = -20A Peak Pulse Current

• Low Saturation Voltage VCE(SAT) < -60mV max @ -1A

• RSAT = 24mΩ @ -5.5A for Low Equivalent On-Resistance

• Exceptional Gain Linearity Down to -10mA

• hFE Specified up to -20A for High Gain Hold Up

• Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• DC-DC Converters

• MOSFET Gate Drivers

• Charging Circuits

• Power Switches

• Motor Control

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTP2008ZTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    175mV @ 500mA,5.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    110MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89-3

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 5.5A SOT89-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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