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1N5406G中文资料EIC数据手册PDF规格书

1N5406G
厂商型号

1N5406G

参数属性

1N5406G 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

功能描述

GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS

文件大小

16.89 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 EIC discrete Semiconductors
企业简称

EIC

中文名称

EIC discrete Semiconductors官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-11-22 20:00:00

1N5406G规格书详情

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 3.0 Amperes

FEATURES :

* Glass passivated chip

* High current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

MECHANICAL DATA :

* Case : DO-201AD Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,Method 208 guaranteed

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 1.21 grams

产品属性

  • 产品编号:

    1N5406G

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    25pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-201AD,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-201AD

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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