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1N5624-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：SOD-64，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N5624	文件：52.31 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONRECTIFIER FEATURES ♦Glasspassivatedcavity-freejunction ♦Hightemperaturemetallurgicallybondedconstructed ♦Hermeticallysealedpackage ♦CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 ♦TypicalIRlessthan0.1µA ♦3.0AmpereoperationatTA=70°Cwithnothermalrunaway ♦Hightemp	GE GE Industrial Company	GE
1N5624	文件：159.68 Kbytes Page：4 Pages	LeadMountedRectifier LeadMountedRectifier TRANSIENTVOLTAGEPROTECTED 5.0Amps200-800Volts TheA15isTransientVoltageProtected.Thisdevicewilldissipateupto1000wattsinthereversedirectionwithoutdamage.VoltageTransientsgeneratedbyhouseholdorindustrialpowerlinearedissipated.	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
1N5624	文件：111.21 Kbytes Page：4 Pages	StandardAvalancheSinterglassDiode FEATURES •Glasspassivatedjunction •Hermeticallysealedpackage •Controlledavalanchecharacteristics •Lowreversecurrent •Highsurgecurrentloading •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Rectificationdio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5624	文件：132.11 Kbytes Page：4 Pages	StandardAvalancheSinterglassDiode FEATURES •Glasspassivatedjunction •Hermeticallysealedpackage •Controlledavalanchecharacteristics •Lowreversecurrent •Highsurgecurrentloading •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Rectificationdiode,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5624	文件：128.68 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDRECTIFIER GLASSPASSIVATEDRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5624	文件：295.21 Kbytes Page：2 Pages	siliconglasspassivatedrectifiers DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N5624seriestypesaresiliconrectifiersmountedinahermeticallysealed,glasspassivatedpackage,designedforgeneralpurposeapplicationswherehighreliablilityisrequired. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
1N5624	文件：86.79 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONRECTIFIERS PRV:200-800Volts Io:3.0Amperes FEATURES: Glasspassivatedcavity-freejunction Lowforwardvoltagedrop Highreliability Lowreversecurrent Highforwardsurgecapability Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5624GP	文件：75.48 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedJunctionRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliability application •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcomp	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5624GP	文件：59.31 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONRECTIFIER FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction ♦Glasspassivatedcavity-freejunction ♦CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 ♦3.0AmpereoperationatTA=70°Cwithnothermal	GE GE Industrial Company	GE

产品属性

产品编号：
1N5624-TR
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
雪崩
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
60pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
SOD-64，轴向
供应商器件封装：
SOD-64
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

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更多1N5624-TR供应商更新时间2024-11-22 10:00:00

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