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1N5804US中文资料美高森美数据手册PDF规格书

1N5804US
厂商型号

1N5804US

参数属性

1N5804US 封装/外壳为SQ-MELF;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 100V 1.1A

功能描述

MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP

文件大小

318.28 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-11-22 18:42:00

1N5804US规格书详情

DESCRIPTION

This “ultrafast recovery” rectifier diode series is military qualified to MIL-PRF-19500/477 and is ideal for high-reliability applications where a failure cannot be tolerated. These industry-recognized 2.5 Amp rated rectifiers for working peak reverse voltages from 50 to 150 volts are hermetically sealed with voidless-glass construction using an internal “Category I” metallurgical bond. They are also available in surface-mount packages (see separate data sheet for 1N5802US thru 1N5806US). Microsemi also offers numerous other rectifier products to meet higher and lower current ratings with various recovery time speed requirements including standard, fast and ultrafast in both through-hole and surface-mount packages.

FEATURES

• Popular JEDEC registered 1N5802 to 1N5806 series

• Voidless hermetically sealed glass package

• Extremely robust construction

• Triple-layer passivation

• Internal “Category I” Metallurgical bonds

• JAN, JANTX, JANTXV, and JANS available per MIL-PRF-19500/477

• Surface mount equivalents also available in a square end-cap MELF configuration with “US” suffix (see separate data sheet for 1N5802US thru 1N5806US)

产品属性

  • 产品编号:

    1N5804US

  • 制造商:

    Semtech Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1.1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    25pF @ 5V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SQ-MELF

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 1.1A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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