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1N5804US	文件：45.34 Kbytes Page：3 Pages	Ultrafast Recovery Rectifier UltrafastRecoveryRectifier •Hermetic,non-cavityglasspackage •Metallurgicallybonded •OperatingandStorageTemperature:-65°Cto+175°C	SENSITRON Sensitron	SENSITRON
1N5804US	文件：318.28 Kbytes Page：2 Pages	MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP DESCRIPTION This“ultrafastrecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/477andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.5Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsare	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5804US	文件：112.74 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT VOIDLESSHERMETICALLY- SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS DESCRIPTION This“ultrafastrecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/477andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.5Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsare	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5804US	文件：110.72 Kbytes Page：2 Pages	Superfast Recovery Diodes Surface Mount (US) Features Verylowreverserecoverytime Hermeticallysealednon-cavityconstruction Soft,non-snap,offrecoverycharacteristics Verylowforwardvoltagedrop VR50-150V IF1N5802USto1N5806US=2.5A trr1N5802USto1N5806US=25nS IR1N5802USto1N5806US=1µA	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N5804US	文件：45.27 Kbytes Page：3 Pages	Ultrafast Recovery Rectifier	SENSITRON Sensitron	SENSITRON
1N5804US	文件：132.46 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT VOIDLESSHERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5804US	文件：659.61 Kbytes Page：4 Pages	Rectifier Diode Series	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
1N5804US	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：SQ-MELF 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 1.1A	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N5804US	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SQ-MELF，A 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 1A D5A	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5804USE3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：SQ-MELF，A 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：RECTIFIER UFR,FRR	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
JAN1N5804	文件：318.28 Kbytes Page：2 Pages	MILITARYAPPROVEDHIGHEFFICIENCY2.5AMPAND6.0AMP DESCRIPTION This“ultrafastrecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/477andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.5Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsare	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN1N5804	文件：133.12 Kbytes Page：3 Pages	MILITARYAPPROVED,HIGHEFFICIENCY,2.5AMPAND6.0AMP DESCRIPTION This“ultrafastrecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/477andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.5Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsare	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN1N5804	文件：53.36 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTMILITARYRECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN1N5804US	文件：318.28 Kbytes Page：2 Pages	MILITARYAPPROVEDHIGHEFFICIENCY2.5AMPAND6.0AMP DESCRIPTION This“ultrafastrecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/477andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.5Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsare	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANHCE1N5804	文件：46.75 Kbytes Page：3 Pages	2.5AMPSFASTRECOVERYRECTIFIERCHIP50-150VOLTS FEATURES: •ChipOutlineDimensions:41x41mils •ChipThickness:8to12mils •AnodeMetallization:Aluminum •MetallizationThickness:50,000ÃNominal •BondingArea:23x23milsMin. •BackMetallization:Gold •JunctionPassivatedwithThermalSiliconDioxide-PlanarDesign •Back	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANHCF1N5804	文件：46.75 Kbytes Page：3 Pages	2.5AMPSFASTRECOVERYRECTIFIERCHIP50-150VOLTS FEATURES: •ChipOutlineDimensions:41x41mils •ChipThickness:8to12mils •AnodeMetallization:Aluminum •MetallizationThickness:50,000ÃNominal •BondingArea:23x23milsMin. •BackMetallization:Gold •JunctionPassivatedwithThermalSiliconDioxide-PlanarDesign •Back	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANKCE1N5804	文件：46.75 Kbytes Page：3 Pages	2.5AMPSFASTRECOVERYRECTIFIERCHIP50-150VOLTS FEATURES: •ChipOutlineDimensions:41x41mils •ChipThickness:8to12mils •AnodeMetallization:Aluminum •MetallizationThickness:50,000ÃNominal •BondingArea:23x23milsMin. •BackMetallization:Gold •JunctionPassivatedwithThermalSiliconDioxide-PlanarDesign •Back	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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JANS1N5804	文件：53.36 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTMILITARYRECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANS1N5804	文件：318.28 Kbytes Page：2 Pages	MILITARYAPPROVEDHIGHEFFICIENCY2.5AMPAND6.0AMP DESCRIPTION This“ultrafastrecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/477andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.5Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsare	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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产品属性

产品编号：
1N5804US
制造商：
Semtech Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1.1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
25pF @ 5V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SQ-MELF
描述：
DIODE GEN PURP 100V 1.1A

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更多1N5804US供应商更新时间2024-11-22 18:04:00

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