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1N5817-B	文件：68.51 Kbytes Page：3 Pages	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5817-B	文件：46.84 Kbytes Page：3 Pages	Guard Ring Die Construction for Transient Protection	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5817-B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
1N5817-E	文件：182.91 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyBarrierRectifiersReverseVoltage20to40VForwardCurrent1.0A Feature&Dimensions PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications Guardingforovervoltageprotection *Hightempera	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1N5817FL	文件：545.53 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5817G	文件：116.38 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyRectifier 1AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●HighReliability ●HighCurrentCapability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5817G	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5817G	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5817-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features -Epitaxialconstruction. -Lowforwardvoltagedrop. -Metal-Semiconductorjunctionwithguardring. -Highcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5817GI	文件：366 Kbytes Page：18 Pages	FIXEDNEGATIVE5-V200-mAINVERTINGDC/DCCONVERTER	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
1N5817H	文件：51.96 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,f	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5817HS	文件：560.56 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5817L	文件：61.1 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Epitaxialconstruction	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N5817L	文件：152.37 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Epitaxialconstruction	BYTES Bytes	BYTES
1N5817-LFR	文件：120.94 Kbytes Page：2 Pages	1ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ●UL94V0FLAMERETARDANTEPOXYMOLDINGCOMPOUND ●EXTREMELYLOWVF ●LOWPOWERLOSS/HIGHEFFICIENCY ●LOWSTOREDCHARGE,MAJORITYCARRIERCONDUCTION ●LEADFREE	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
1N5817M	文件：59.09 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●HighCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingforTransientProtection ●GlassPackageforHighReliability ●PackagedforSurfaceMountApplications	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5817M	文件：58.05 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5817PT	文件：81.31 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGERANGE20-40VoltsCURRENT1.0Ampere	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
1N5817RL	文件：61.24 Kbytes Page：5 Pages	LOWDROPPOWERSCHOTTKYRECTIFIER DESCRIPTION AxialPowerSchottkyrectifiersuitedforSwitchModePowerSuppliesandhighfrequencyDCtoDCconverters.PackagedinDO41thesedevicesareintendedforuseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,polarityprotectionandsmallbatterychargers. FEATURESANDBENEF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
1N5817RL	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
1N5817-B
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
110pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41

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更多1N5817-B供应商更新时间2024-11-22 16:20:00

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