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1N5818TR	文件：88.36 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY RECTIFIER 1.0 Amp Description/Features The1N5818/1N5819axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,free-wheelingdiodes,andreversebatteryprotection. •Lowprofile,axialleaded	IRF International Rectifier	IRF
1N5818TR	文件：79.36 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Rectifier, 1.0 A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5818W	文件：470.76 Kbytes Page：2 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode	BYTESONIC Bytesonic Electronics Co., Ltd.	BYTESONIC
1N5818W	文件：233.87 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability ●Lowforwardvoltagedrop ●HighSurgeCapability	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5818W	文件：319.46 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYDIODESSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技	AITSEMI
1N5818W	文件：383.39 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5818W	文件：287.13 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
1N5818W	文件：277.45 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
1N5818W	文件：75.75 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpol	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5818W	文件：471.87 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5818W	文件：123.88 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
1N5818WB	文件：47.53 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODES SCHOTTKYBARRIERDIODES PRV:20-40Volts IO:1.0Ampere MECHANICALDATA: Case:SOD-123 Weight:0.01gram(approximately) 1N5817WBMarkingCode:A0 1N5818WBMarkingCode:ME *1N5819WBMarkingCode:SR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5818WB	文件：135.91 Kbytes Page：2 Pages	1ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE 1ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Plasticsurfacemountedpackage;2leads	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5818WB	文件：227.07 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode 1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode Plasticsurfacemountedpackage;2leads	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
1N5818WS	文件：557.38 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	FS First Silicon Co., Ltd	FS
1N5818WS	文件：603.17 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •LowForwardVoltageDrop •GuardRingConstructionforTransientProtection •NegligibleReverseRecoveryTime •LowReverseCapacitance •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
1N5818WS	文件：470.3 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES ♦LowForwardVoltageDrop ♦GuardRingConstructionforTransientProtection ♦NegligibleReverseRecoveryTime ♦LowCapacitance ♦LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives MECHANICALDATA ♦Case:SOD-323 ♦Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method2026 ♦Appro	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5818WS	文件：530.81 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features ●Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ●Guardingforovervoltageprotection ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability ●Lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapability ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5818WS	文件：99.1 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiodes Features ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ●Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5818WS	文件：523.419 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode	BYTESONIC Bytesonic Electronics Co., Ltd.	BYTESONIC

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详细参数

型号：
1N5818TR
功能描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO-41
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列：
-
标准包装：
100
二极管类型：
标准电压
-(Vr)（最大）：
50V 电流 -
平均整流(Io)：
6A 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
1.4V @ 6A
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)：
300ns 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
15µA @ 50V 电容@ Vr,
F：
-
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装：
DO-203AA
包装：
散装
其它名称：
*1N3879

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	1N5818TR	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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上海市鑫鸿达电子	1N5818TR	Vishay PCS	2022+		436	全新原装货期两周	询价
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更多1N5818TR供应商更新时间2024-11-22 13:34:00

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