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1N5819-B	文件：68.51 Kbytes Page：3 Pages	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819-B	文件：586.61 Kbytes Page：4 Pages	Axial Lead Schottky Diode	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
1N5819-B	文件：46.84 Kbytes Page：3 Pages	Guard Ring Die Construction for Transient Protection	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819-B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
1N5819-BP	文件：427 Kbytes Page：3 Pages	Halogen free available upon request by adding suffix	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
1N5819-E	文件：182.91 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyBarrierRectifiersReverseVoltage20to40VForwardCurrent1.0A Feature&Dimensions PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications Guardingforovervoltageprotection *Hightempera	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1N5819FL	文件：545.53 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5819-FP	文件：586.61 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadSchottkyDiode	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
1N5819G	文件：116.38 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyRectifier 1AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●HighReliability ●HighCurrentCapability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5819G	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819G	文件：523.69 Kbytes Page：4 Pages	Schottkybarrierdiode	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
1N5819G	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819H	文件：51.96 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,f	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5819HS	文件：560.56 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5819HW	文件：103.31 Kbytes Page：4 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtectionApplication •Lead,Hal	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW	文件：82.75 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW	文件：61.61 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DescriptionandApplications ThedeviceisasinglerectifierofferinglowVFandexcellenthightemperaturestability.Thisdeviceisidealforuseingeneralrectificationapplications: •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters •FreeWheeling •PolarityProtectionApplication Feat	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW	文件：297.32 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW	文件：399.22 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACE-MOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FeaturesandBenefits HighSurgeCapability LowPowerLoss,HighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop GuardRingDieConstructionforTransientProtection TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW-FDICT-ND	文件：1.13333 Mbytes Page：30 Pages	LAUNCHXL-F28379DOverview	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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产品属性

产品编号：
1N5819-B
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
110pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41

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更多1N5819-B供应商更新时间2024-11-22 17:00:00

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