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1N5819-G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5819H	文件：51.96 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,f	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5819HS	文件：560.56 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5819HW	文件：103.31 Kbytes Page：4 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtectionApplication •Lead,Hal	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW	文件：82.75 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW	文件：61.61 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DescriptionandApplications ThedeviceisasinglerectifierofferinglowVFandexcellenthightemperaturestability.Thisdeviceisidealforuseingeneralrectificationapplications: •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters •FreeWheeling •PolarityProtectionApplication Feat	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW	文件：297.32 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW	文件：399.22 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACE-MOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FeaturesandBenefits HighSurgeCapability LowPowerLoss,HighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop GuardRingDieConstructionforTransientProtection TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HW-FDICT-ND	文件：1.13333 Mbytes Page：30 Pages	LAUNCHXL-F28379DOverview	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
1N5819HWQ	文件：318.66 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features HighSurgeCapability LowPowerLoss,HighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop GuardRingDieConstructionforTransientProtection TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Qu	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819HWQ	文件：399.22 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASURFACE-MOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FeaturesandBenefits HighSurgeCapability LowPowerLoss,HighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop GuardRingDieConstructionforTransientProtection TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819L	文件：152.37 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Epitaxialconstruction	BYTES Bytes	BYTES
1N5819-LFR	文件：120.94 Kbytes Page：2 Pages	1ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ●UL94V0FLAMERETARDANTEPOXYMOLDINGCOMPOUND ●EXTREMELYLOWVF ●LOWPOWERLOSS/HIGHEFFICIENCY ●LOWSTOREDCHARGE,MAJORITYCARRIERCONDUCTION ●LEADFREE	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
1N5819M	文件：58.05 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819M	文件：59.09 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●HighCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingforTransientProtection ●GlassPackageforHighReliability ●PackagedforSurfaceMountApplications	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5819PT	文件：81.31 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGERANGE20-40VoltsCURRENT1.0Ampere	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
1N5819-R	文件：586.61 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadSchottkyDiode	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
1N5819RL	文件：61.24 Kbytes Page：5 Pages	LOWDROPPOWERSCHOTTKYRECTIFIER DESCRIPTION AxialPowerSchottkyrectifiersuitedforSwitchModePowerSuppliesandhighfrequencyDCtoDCconverters.PackagedinDO41thesedevicesareintendedforuseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,polarityprotectionandsmallbatterychargers. FEATURESANDBENEF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
1N5819RL	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5819RLG	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
1N5819-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
110pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5819-G供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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