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6N10L-TND-R	文件：223.3 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
6N10Z	文件：197.84 Kbytes Page：4 Pages	6.5Amps,100VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
FIR6N10LTG	文件：8.05172 Mbytes Page：7 Pages	GenerALDescription	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
HLDD6N10	文件：1.01927 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司	HUILIDA
HLDD6N10	文件：723.84 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HM6N10	文件：688.85 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM6N10R	文件：593.26 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
LMTM6N10	文件：930.48 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MTD6N10	文件：167.55 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR,N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE,DPAKFORSURFACEMOUNTORINSERTIONMOUNT PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate DPAKforSurfaceMountorInsertionMount ThisTMOSPowerFETisdesignedforhighspeed,lowlosspowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrealydrivers.	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD6N10	文件：345.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTD6N10E	文件：265.2 Kbytes Page：10 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD6N10E	文件：211.53 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.400OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoveryt	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP6N10	文件：295.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP6N10	文件：172.33 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	Motorola Motorola, Inc	Motorola
PHD6N10E	文件：70.04 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforusei	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP6N10E	文件：53.42 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PJD6N10A	文件：402.59 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@3A	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD6N10A	文件：401.65 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SSFP6N10	文件：202 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
STD6N10	文件：171.05 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.35Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION ■THROUG	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳庞田科技有限公司	6N10L-TND-R	UTC/友顺	2023+	TO-252D	50000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	6N10L-TND-T	UTC/友顺	24+	TO252D	100000	原装现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	6N10L-TND-T	UTC/友顺	23+	TO252D	100000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市华博特电子有限公司	6N10L-TND-T	UTC	20232024	TO252D	6000	老牌代理,长期现货	询价
深圳市宇信通微波器件经营部	6N10W-03	INMET	20+	N	25	weinschel 衰减器库存大量现货,欢迎电寻	询价
深圳市一线半导体有限公司	6N10W-30dB	INMET	24+	N	53		询价
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更多6N10L-TND-R供应商更新时间2024-4-11 18:15:00

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