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1N5361B

更新时间:2024-11-15 15:11:35
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1N5361B 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：IZT=50mA/IR=4.1A/IZM=176mA
    电压参数：UZ=25.28~28.35V/UR=20.6V
    功  率：PD=5W
    其他参数：ZZT=5Ω
    备  注：稳压(齐纳)二极管

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1N5361B外观图

  • 大小：507.27KB
  • 厂家：SUNMATE/森美特
  • 描述：of 3 POWER: 5.0Wa t t s VOLTAGE RANGE: 5.1 - 200V 1N5338B - 1N5388B C = 75 Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air Mounting position : Any Polarity : Color band denotes cathode end Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202, Epoxy : UL94V-0 rate flame retardant Case : DO-15 Molded plastic Low leakage current High reliability High peak reverse power dissipation Complete Voltage Range 5.1 to 200 Volts Features Mechanical Data Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ T A = 25C unless otherwise specified Rating Symbol Value Unit DC Power Dissipation at TL PD 5.0 W Maximum Forward Voltage at IF = 1 A VF 1.2 RθJA 45 K / W Junction Temperature Range TJ - 65 to + 200 °C Storage Temperature Range Ts - 65 to + 200 °C Note : (1) TL = Lead temperature at 3/8 " (9.5mm) from body ° 1 www.sunmate.tw AXIAL LEADED SILICON ZENER DIODES Weight: 0.40 grams (approx.) ! ! ! ! ! ! ! Method 208 guaranteed ! ! ! A A B C D DO-15 Dim Min Max A 25.40 —
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：单二极管/齐纳
  • 系列：Surmetic™
  • 电压 - 齐纳（标称）(Vz)：27V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电：500nA @ 20.6V
  • 容差：±5%
  • 功率 - 最大：5W
  • 阻抗（最大）(Zzt)：5 欧姆
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：T-18，轴向
  • 供应商设备封装：轴向
  • 包装：散装
  • 工作温度：-65°C ~ 200°C
  • 其它名称：1N5361BOS
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