大小：507.27KB
厂家：SUNMATE/森美特
描述：of 3 POWER: 5.0Wa t t s VOLTAGE RANGE: 5.1 - 200V 1N5338B - 1N5388B C = 75 Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air Mounting position : Any Polarity : Color band denotes cathode end Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202, Epoxy : UL94V-0 rate flame retardant Case : DO-15 Molded plastic Low leakage current High reliability High peak reverse power dissipation Complete Voltage Range 5.1 to 200 Volts Features Mechanical Data Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ T A = 25C unless otherwise specified Rating Symbol Value Unit DC Power Dissipation at TL PD 5.0 W Maximum Forward Voltage at IF = 1 A VF 1.2 RθJA 45 K / W Junction Temperature Range TJ - 65 to + 200 °C Storage Temperature Range Ts - 65 to + 200 °C Note : (1) TL = Lead temperature at 3/8 " (9.5mm) from body ° 1 www.sunmate.tw AXIAL LEADED SILICON ZENER DIODES Weight: 0.40 grams (approx.) ! ! ! ! ! ! ! Method 208 guaranteed ! ! ! A A B C D DO-15 Dim Min Max A 25.40 —
标准包装：1,000
类别：分离式半导体产品
家庭：单二极管/齐纳
系列：Surmetic™
电压 - 齐纳（标称）(Vz)：33V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：1.2V @ 1A
电流 - 在 Vr 时反向漏电：500nA @ 25.1V
容差：±5%
功率 - 最大：5W
阻抗（最大）(Zzt)：10 欧姆
安装类型：通孔
封装/外壳：T-18，轴向
供应商设备封装：轴向
包装：散装
工作温度：-65°C ~ 200°C
其它名称：1N5364BOS

1N5364B 相关信息

1N5364BRLG的技术参数

产品型号:1N5364BRLG齐纳击穿电压Vz最小值(V):31.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):33齐纳击穿电压Vz最大值(V):34.650@Izt(mA):40齐纳阻抗Zzt(Ω):10最大功率PMax(W):5芯片标识:1N5364B封装/温度(℃):Surmetic40/-65~200价格/1片(套):￥1.50 来源:零八我的爱

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[相关信息]...800@Izt(mA):30齐纳阻抗Zzt(Ω):11最大功率PMax(W):5芯片标识:1N5365B封装/温度(℃):Surmetic40/-65~200价格/1片(套):￥1.50 来源:零八我的爱... 1N5364BRLG(33V) 1N5365A 1N5365BRL 1N5365BRLG 1N5365BRLG(36V) 1N5366 1N5366A 1N5366ARL 1N5366B 1N5366BG 1N5366BRL 1N5366BRLG 1N5366BRLG(39V) 1N5367A 1N5367B 1N5367BG 1N5367BRL 1N5367BRL(43V)

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