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              2N3820
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2N3820

更新时间:2024-11-22 09:02:32
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2N3820的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N3820外观图

  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：2,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：JFET（结点场效应
  • 系列：-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：300µA @ 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)：-
  • 漏极电流 (Id) - 最大：-
  • FET 型：P 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：20V
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：8V @ 10µA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：32pF @ 10V
  • 电阻 - RDS（开）：-
  • 安装类型：通孔
  • 包装：散装
  • 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装：TO-92-3
  • 功率 - 最大：350mW
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