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              2N5551RL1
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2N5551RL1

更新时间:2024-11-20 20:45:06
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2N5551RL1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N5551RL1外观图

  • 标准包装：2,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：160V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 10mA，5V
  • 功率 - 最大：625mW
  • 频率 - 转换：300MHz
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商设备封装：TO-92-3
  • 包装：带卷 (TR)
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