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2N6796U

更新时间:2024-11-25 09:06:02
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  • 厂家:
  • 描述:N-Channel
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):6.34 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):800mW(Ta),25W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:18-ULCC(9.14x7.49)
  • 封装/外壳:18-CLCC

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