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              2SD1276AP
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2SD1276AP

更新时间:2024-10-21 11:24:28
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2SD1276AP外观图

  • 数据列表：2SD1276AP View All Specifications
  • 标准包装：500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：4V @ 20mA，5A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：4000 @ 3A，3V
  • 功率 - 最大：2W
  • 频率 - 转换：20MHz
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装：TO-220F-A1
  • 包装：散装
  • 其它名称：2SD1276A2SD1276A-ND
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