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2SD1664T100P

更新时间:2024-11-28 21:41:26
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2SD1664T100P的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SD1664T100P外观图

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：32V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 50mA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：82 @ 100mA，3V
  • 功率 - 最大：2W
  • 频率 - 转换：150MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-243AA
  • 供应商设备封装：MPT3
  • 包装：带卷 (TR)
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