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2SJ650

更新时间:2024-11-23 18:03:34
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2SJ650的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SJ650外观图

  • 标准包装：100
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：135 毫欧 @ 6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1020pF @ 20V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装：TO-220ML
  • 包装：散装
  • 其它名称：869-1054
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